[实用新型]一种CMOS开关非线性补偿结构

权利要求书

1.一种CMOS开关非线性补偿结构，其特征在于，包括第一N型MOS管、第二N型MOS管、第三N型MOS管、第四N型MOS管、第五N型MOS管、第六N型MOS管、第七N型MOS管、第八N型MOS管、第一型电容C1、第二型电容C2、第三型电容C3和比较器；第一N型MOS管的漏极与电容C1的一端相连，第二N型MOS管的漏极与第四N型MOS管的源极以及电容C2的一端相连；第三N型MOS管的漏极与第四N型MOS管的漏极以及电容C3的一端相连，第五N型MOS管的漏极与地相连，源极与第六N型MOS管的源极以及电容C3的另一端相连，第七N型MOS管的漏极与共模电平相连，源极与电容C2的另一端以及电容C1的另一端以及第八N型MOS管的源极相连，第八N型MOS管的漏极与比较器的正输入端相连。

2.根据权利要求1所述的一种CMOS开关非线性补偿结构，其特征在于，第一N型MOS管的源极与信号输入端VIN相连，栅极与控制信号Φ1相连，其沟道长度为W。

3.根据权利要求1所述的一种CMOS开关非线性补偿结构，其特征在于，第二N型MOS管的源极与信号输入端VIN相连，栅极与控制信号Φ1相连，其沟道长度为W/M2，M2为NM1与NM2沟道宽度之比。

4.根据权利要求1所述的一种CMOS开关非线性补偿结构，其特征在于，第三N型MOS管的源极与信号输入端VIN相连，栅极与控制信号Φ1相连，其沟道长度为W/M1，M1为NM1与NM3沟道宽度之比。

5.根据权利要求1所述的一种CMOS开关非线性补偿结构，其特征在于，第四N型MOS管的栅极与控制信号Φ2相连；第五N型MOS管的栅极与控制信号Φ2相连。

6.根据权利要求1所述的一种CMOS开关非线性补偿结构，其特征在于，第六N型MOS管的漏极与共模电平相连，栅极与控制信号Φ3相连；第七N型MOS管的漏栅极与控制信号Φ3相连。

7.根据权利要求1所述的一种CMOS开关非线性补偿结构，其特征在于，第八N型MOS管的栅极与控制信号Φ4相连。

8.根据权利要求1所述的一种CMOS开关非线性补偿结构，其特征在于，比较器的负输入端与共模电平相连。

9.根据权利要求1所述的一种CMOS开关非线性补偿结构，其特征在于，第一型电容C1的电容大小为C；第二型电容C2的电容大小为C/N，N为C1与C2或者C3电容面积之比；第三型电容C3的电容大小为C/N。