[实用新型]一种免刻蚀的半导体激光器的热沉结构有效
| 申请号： | 202220858997.4 | 申请日： | 2022-04-14 |
| 公开（公告）号： | CN217062831U | 公开（公告）日： | 2022-07-26 |
| 发明（设计）人： | 高翔;郝明明;王云才;周勇 | 申请（专利权）人： | 广东工业大学 |
| 主分类号： | H01S5/024 | 分类号： | H01S5/024 |
| 代理公司： | 广东广信君达律师事务所 44329 | 代理人： | 熊冰 |
| 地址： | 510062 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种免刻蚀的半导体激光器的热沉结构，所述热沉结构是在双面抛光的阶梯型氮化铝衬底的平面上依次制得金属层和焊接层；阶梯型氮化铝衬底包括阶梯表面和阶梯垂面，金属层在所述阶梯表面上；阶梯表面包括第一阶梯表面和第二阶梯表面，焊接层在第一阶梯表面的金属层上，第一阶梯表面的金属层的面积大于或者等于焊接层的面积，阶梯垂面的高度大于第一阶梯表面上金属层和焊接层的总厚度。本实用新型采用阶梯型结构氮化铝衬底，由于氮化铝材料良好的绝缘特性，且阶梯型氮化铝衬底的阶梯垂面的高度大于金属层和焊接层的总厚度，形成绝缘构造。且此结构不存在刻蚀金属不完全导致激光器芯片短接的风险，显著提高了半导体激光器封装的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 刻蚀 半导体激光器 结构 | ||
【主权项】：
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