[实用新型]一种高功率容量和高线性度的数控衰减结构及衰减器

摘要

本实用新型公开了一种高功率容量和高线性度的数控衰减结构及衰减器，属于微波技术领域，数控衰减器是采用硅基SOI工艺，在结构上，晶体管的栅极电阻将用于直流偏置电压和射频信号隔离，在串联的第一支路方向上，并联多个串联的晶体管，以增加电流容量，在并联的第二支路方向上，串联多个晶体管，以增加电压容量，选择合适的栅极电阻值而提供不同的栅源电压来改善其线性度；工艺上，基于硅基SOI工艺制作的数控衰减器它具有更低的结电容、弱的短沟道效应、高电阻率衬底等特性，能更好的改善数控衰减器的性能，特别适用于高线性、高功率容量和高集成度的微波毫米微波系统。