[实用新型]一种高功率容量和高线性度的数控衰减结构及衰减器

权利要求书

1.一种高功率容量和高线性度的数控衰减结构，其特征在于，所述数控衰减结构包括射频输入端(1)、射频输出端(2)和衰减电路；所述衰减电路包括串联在所述射频输入端(1)和射频输出端(2)之间的第一支路(3)以及并联在所述射频输入端(1)和射频输出端(2)之间的第二支路(4)；

所述第一支路(3)包括第一晶体管组(31)，所述第一晶体管组(31)两端并联有第二晶体管组(5)；所述第二支路(4)包括两个结构相同的第三晶体管组(41)；所述第一晶体管组(31)、第二晶体管组(5)和第三晶体管组(41)均包括多个串联的晶体管；

所述第三晶体管组(41)中每个晶体管的栅极均通过第一电阻(42)与直流偏置电压VG连接，所述第一晶体管组(31)和第二晶体管组(5)中每个晶体管的栅极均与反向偏置电压VG连接；其中一个第三晶体管组(41)的漏极与所述第二晶体管组(5)的漏极连接，另一个第三晶体管组(41)的漏极与所述第二晶体管组(5)的源极连接，两个第三晶体管组(41)的源极均接地。

2.根据权利要求1所述的一种高功率容量和高线性度的数控衰减结构，其特征在于，所述第二晶体管组(5)的源极和漏极之间并联有一个第二电阻R1。

3.根据权利要求1所述的一种高功率容量和高线性度的数控衰减结构，其特征在于，所述第三晶体管组(41)的源极连接有第一微带线L1，并通过第三电阻R2接地。

4.根据权利要求1所述的一种高功率容量和高线性度的数控衰减结构，其特征在于，所述第一晶体管组(31)和第二晶体管组(5)中每个晶体管的栅极均通过第四电阻RG与反向偏置电压VG连接。

5.根据权利要求1所述的一种高功率容量和高线性度的数控衰减结构，其特征在于，所述第一晶体管组(31)包括两个串联的晶体管，所述第二晶体管组(5)包括两个串联的晶体管，所述第三晶体管组(41)包括三个串联的晶体管。

6.根据权利要求1所述的一种高功率容量和高线性度的数控衰减结构，其特征在于，所述射频输入端(1)为50欧姆输入端，所述射频输出端(2)为50欧姆输出端。

7.一种由权利要求1-6中任意一项所述的数控衰减结构构成的数控衰减器，其特征在于，包括多个相互级联的不同尺寸的数控衰减结构，所述数控衰减结构之间通过第二微带线L2连接。

8.根据权利要求7所述的数控衰减器，其特征在于，包括6个数控衰减结构。

9.根据权利要求7所述的数控衰减器，其特征在于，所述第二微带线L2为50欧姆微带线。

10.一种数控衰减器封装，其特征在于，所述封装包括有硅基SOI衬底和设在所述硅基SOI衬底上的金属层，所述金属层上设有权利要求1-6中任意一项所述的数控衰减结构。