[发明专利]一种晶体生长装置、控制方法及控制系统在审
| 申请号： | 202211723689.1 | 申请日： | 2022-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN116427014A | 公开（公告）日： | 2023-07-14 |
| 发明（设计）人： | 沈伟民;毛志飞;魏星 | 申请（专利权）人： | 上海新昇半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/10 | 分类号： | C30B15/10;C30B15/14;C30B15/20;C30B29/06 |
| 代理公司： | 北京磐华捷成知识产权代理有限公司 11851 | 代理人： | 翟海青 |
| 地址： | 201306 上海市浦东新区中国（*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种晶体生长装置、控制方法及控制系统，所述装置包括：炉体；坩埚，设置于所述炉体的内部，配置为容纳用于晶体生长的硅熔体；加热器，设置于所述坩埚周围，配置为加热所述坩埚；导流筒，在所述硅熔体的上方围绕所述晶体设置，用于阻止硅熔体的热量辐射到晶体表面，提高晶体的纵向温度梯度；水冷装置，设置于所述晶体与所述导流筒之间，用于冷却晶体并提高晶体的纵向温度梯度，所述水冷装置包括冷却水流量调节机构，所述冷却水流量调节机构用于调节所述水冷装置中的冷却水的流量。根据本发明提供的晶体生长装置、控制方法及控制系统，当晶体的实时直径偏离目标直径时，通过调节冷却晶体的水冷装置中的冷却水的流量，改变冷却水的带走热量，匹配熔体对流导致的固液界面下方硅熔体的温度梯度的波动变化，从而降低晶体生长的直径波动，进而降低晶体内原生缺陷的发生率，提高硅片产品的良率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 晶体生长 装置 控制 方法 控制系统 | ||
【主权项】：
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