[发明专利]一种用于制备小损耗超高压交流瓷介电容器的介质材料及其制备方法有效

专利信息
申请号: 202211722266.8 申请日: 2022-12-30
公开(公告)号: CN115959904B 公开(公告)日: 2023-10-13
发明(设计)人: 张艳茹;袁峰;张慧;高艳;刘成 申请(专利权)人: 北京七星飞行电子有限公司
主分类号: C04B35/49 分类号: C04B35/49;H01G4/12;C04B35/622;C04B35/626
代理公司: 北京易捷胜知识产权代理有限公司 11613 代理人: 蔡晓敏
地址: 100015 北京市朝阳*** 国省代码: 北京;11
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明涉及一种用于制备小损耗超高压交流瓷介电容器的介质材料及其制备方法。该介质材料由原料包括BaTiO3、SrTiO3、CaTiO3、Bi2O3·2TiO2、SrBi2Nb2O9、BiNaTi2O6、Nb2O5、ZrO2、ZnO、Bi2O3和MnCO3制备。本发明提供的材料的交流绝缘强度>7kv/mm,介电常数不低于1800,介电损耗<15×10‑4、体积电阻率>1012Ω·cm,这些电性能的提高为生产优异的超高压交流瓷介电容器奠定了良好的基础,能够满足电力系统、脉冲功率、航空航天、激光武器等对电容器的要求。
搜索关键词: 一种 用于 制备 损耗 超高压 交流 电容器 介质 材料 及其 方法
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京七星飞行电子有限公司,未经北京七星飞行电子有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202211722266.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top