[发明专利]一种无滞后高比能锂氟化碳电极及其制备方法在审
| 申请号： | 202211717432.5 | 申请日： | 2022-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN116130601A | 公开（公告）日： | 2023-05-16 |
| 发明（设计）人： | 颜廷房;刘雯;万冰芯;郭瑞;杨丞;吴超;李永;裴海娟;马尚德;解晶莹 | 申请（专利权）人： | 上海空间电源研究所 |
| 主分类号： | H01M4/133 | 分类号： | H01M4/133;H01M4/1393;H01M4/36;H01M4/587 |
| 代理公司： | 上海元好知识产权代理有限公司 31323 | 代理人： | 张静洁;贾慧琴 |
| 地址： | 200245 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种无滞后高比能锂氟化碳电极及其制备方法，该制备方法包括以下步骤：步骤1，取第一碳材料、第二碳材料，第一碳材料的比表面积大于第二碳材料；采用气相氟化法将第一碳材料和第二碳材料同时进行氟化，得到包含高氟碳比氟化碳和低氟碳比氟化碳的复合氟化碳材料；步骤2，将导电剂、粘接剂、及步骤1得到的复合氟化碳材料分散在溶剂中形成浆料，涂覆在集流体上，烘干后得到复合氟化碳电极。本发明通过将第一碳材料(大比表面积碳材料)和第二碳材料(小比表面积碳材料)同时进行氟化，制得同时含有两种氟碳比(高氟碳比和低氟碳比)的复合氟化碳材料。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 滞后 氟化 电极 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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