[发明专利]一种降低SCT容量温度系数且提高介电常数的方法在审
| 申请号： | 202211687611.9 | 申请日： | 2022-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN115784735A | 公开（公告）日： | 2023-03-14 |
| 发明（设计）人： | 李宇阳;丁明建;郑淑仪 | 申请（专利权）人： | 广州天极电子科技股份有限公司 |
| 主分类号： | C04B35/465 | 分类号： | C04B35/465;C04B35/622 |
| 代理公司： | 北京高沃律师事务所 11569 | 代理人： | 霍苗 |
| 地址： | 511400 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及介电陶瓷技术领域，尤其涉及一种降低SCT容量温度系数且提高介电常数的方法。本发明提供了一种降低SCT容量温度系数且提高介电常数的方法，包括以下步骤：将SCT和铋的氧化物第一混合，得到混合掺杂料；将所述混合掺杂料和聚乙烯醇第二混合后，依次进行压片和烧结，得到Bi掺杂的SCT。本发明通过掺杂Bi元素使所述SCT材料改善晶粒结构，促进晶粒长大，减少孔隙率，改善其正负温度下的容量温度系数，且提高材料介电常数。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 降低 sct 容量 温度 系数 提高 介电常数 方法 | ||
【主权项】：
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