[发明专利]二维MFMIS开关及存储器件及其制备方法在审
| 申请号： | 202211653575.4 | 申请日： | 2022-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN115863391A | 公开（公告）日： | 2023-03-28 |
| 发明（设计）人： | 成杰;郑煜;段吉安 | 申请（专利权）人： | 中南大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78;H01L21/336;H01L29/51;H01L21/28;H10B51/30 |
| 代理公司： | 长沙启昊知识产权代理事务所(普通合伙) 43266 | 代理人： | 张海应 |
| 地址： | 410083 湖南*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明涉及二维MFMIS开关及存储器件技术领域，具体公开了二维MFMIS开关及存储器件及其制备方法，包括从下往上依次设置的衬底、二维半导体纳米片、二维h‑BN纳米片、二维石墨烯纳米片和二维铁电纳米片，所述二维半导体纳米片、二维h‑BN纳米片、二维石墨烯纳米片和二维铁电纳米片的覆盖面积均不超过位于各自下层的面积，二维石墨烯纳米片一端覆盖二维半导体纳米片，另一端伸出覆盖于衬底之上；还包括源端电极、漏端电极、中间栅电极和顶栅电极，所述源端电极和漏端电极位于二维半导体纳米片的两端，中间栅电极设置于二维石墨烯纳米片覆盖于衬底的一端，顶栅电极设置于二维石墨烯纳米片与二维h‑BN纳米片重叠区域上。 | ||
| 搜索关键词： | 二维 mfmis 开关 存储 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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