[发明专利]双线圈非侵入式磁场取能系统及其宽负载功率提升方法在审

专利信息
申请号: 202211647561.1 申请日: 2022-12-21
公开(公告)号: CN115986957A 公开(公告)日: 2023-04-18
发明(设计)人: 李勇;闫一骅;杨环宇;何正友 申请(专利权)人: 西南交通大学
主分类号: H02J50/12 分类号: H02J50/12;H02M7/217
代理公司: 重庆敏创专利代理事务所(普通合伙) 50253 代理人: 黄梅
地址: 610031 四*** 国省代码: 四川;51
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明涉及无线供电技术领域,具体公开了一种双线圈非侵入式磁场取能系统及其宽负载功率提升方法,该系统包括原边侧和副边侧,原边侧包括母排;副边侧包括第一取能线圈、第二取能线圈、第一补偿电容C1、第二补偿电容C2、第三补偿电容CM、整流器、滤波电容C0、直流负载RL;副边侧还包括控制模块,控制模块用于获取直流负载RL的电压UL和电流IL,并通过RL=UL/IL计算得到直流负载值与固定值RLi做比较,若该直流负载值大于固定值RLi,则控制整流器切换到半桥模式,若小于固定值RLi则切换到全桥模式。本发明建立了双线圈非侵入式磁场取能系统等效模型,并通过比较直流负载和切换点负载的大小来切换系统工作模式,维持系统在宽负载范围内的高功率输出。
搜索关键词: 双线 侵入 磁场 系统 及其 负载 功率 提升 方法
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西南交通大学,未经西南交通大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202211647561.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top