[发明专利]半导体器件和晶圆表面沉积层的处理方法在审
| 申请号： | 202211599431.5 | 申请日： | 2022-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN116002610A | 公开（公告）日： | 2023-04-25 |
| 发明（设计）人： | 周国安;罗大杰;马琳 | 申请（专利权）人： | 赛莱克斯微系统科技（北京）有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;B81B7/02 |
| 代理公司： | 北京众达德权知识产权代理有限公司 11570 | 代理人： | 甄伟军 |
| 地址： | 100176 北京市大兴区北京经济技术开发*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体器件和晶圆表面沉积层的处理方法，处理方法通过将加工有刻蚀槽，且刻蚀槽内沉积层具有下凹缺陷的待处理晶圆移动至处理设备，经处理设备对刻蚀槽内的沉积层进行加热重熔，在重熔过程中使沉积层在熔融状态产生自主流动性，基于该流动性使沉积层回流填充其下凹缺陷，使沉积层平坦化，进而提高了晶圆上刻蚀槽内沉积层的处理质量。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 表面 沉积 处理 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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