[发明专利]一种高导电MXene基电磁屏蔽复合薄膜及其制备方法在审
| 申请号： | 202211582219.8 | 申请日： | 2022-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN115768095A | 公开（公告）日： | 2023-03-07 |
| 发明（设计）人： | 卓龙海;缑鹏飞;谢璠;沈东;何丽霞 | 申请（专利权）人： | 陕西科技大学 |
| 主分类号： | H05K9/00 | 分类号： | H05K9/00;C01B32/921;B22F9/24 |
| 代理公司： | 北京中巡通大知识产权代理有限公司 11703 | 代理人： | 郭瑶 |
| 地址： | 710021*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高导电MXene基电磁屏蔽复合薄膜及其制备方法，属于新材料技术领域。所述制备方法，包括以下步骤：采用原位HF刻蚀法制备MXene分散液；以去离子水为溶剂，溶解硝酸银制备硝酸银溶液；将所述硝酸银水溶液加入MXene分散液中，采用真空抽滤的方法得到Ag@MXene薄膜。所述方法采用硝酸银中的银离子为氧化剂使其与MXene中的钛元素发生氧化还原反应生成银颗粒，从而将MXene片层撑起减小片层之间的粘合所带来的电阻并且增加MXene中的导电通路，以此增大MXene的导电性；所述复合薄膜不仅具有优异的导电性能、电磁屏蔽性能并且易成型加工；所述复合薄膜的电导率可到达3120S/cm，电磁屏蔽性能可达到68.5dB。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 导电 mxene 电磁 屏蔽 复合 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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