[发明专利]纳米晶促铜锌锡硫颗粒生长的薄膜制备方法在审
| 申请号： | 202211577708.4 | 申请日： | 2022-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN115872439A | 公开（公告）日： | 2023-03-31 |
| 发明（设计）人： | 童正夫;刘志锋;韩长存;方黎;柳阳;王文君;谭保华 | 申请（专利权）人： | 湖北工业大学 |
| 主分类号： | C01G19/00 | 分类号： | C01G19/00 |
| 代理公司： | 武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 42222 | 代理人： | 齐晨涵 |
| 地址： | 430068 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种纳米晶促铜锌锡硫颗粒生长的薄膜制备方法。该方法包括以下步骤：首先，将纳米晶溶于有机溶液A中制备成稳定的乳液B；其次，将乳液B缓慢滴入CZTS的前驱体溶液C中制备成前驱体溶液D；再次，前驱体溶液D进行旋涂制备成CZTS预制层薄膜，然后将其进行退火处理，完成CZTS薄膜的制备。纳米晶作为前驱体溶液C的添加物可以在CZTS预制层薄膜退火过程中充当晶种，促进薄膜中CZTS颗粒的生长。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 晶促铜锌锡硫 颗粒 生长 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
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