[发明专利]零序调磁型记忆电机用单电源驱动双逆变器的拓扑结构在审
| 申请号： | 202211562609.9 | 申请日： | 2022-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN115800846A | 公开（公告）日： | 2023-03-14 |
| 发明（设计）人： | 阳辉;伊禹名;林鹤云 | 申请（专利权）人： | 东南大学 |
| 主分类号： | H02P21/00 | 分类号： | H02P21/00;H02P21/14;H02P21/22;H02P27/08;H02M7/537 |
| 代理公司： | 北京同辉知识产权代理事务所(普通合伙) 11357 | 代理人： | 张恩慧 |
| 地址： | 210096 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了零序调磁型记忆电机用单电源驱动双逆变器的拓扑结构，涉及记忆电机技术领域。本发明包括第一，二电压源逆变器，所述电路拓扑连接方式为：输入电源直接接到第一电压源逆变器的直流母线上，输入电源或电容器根据运行需求接到第二电压源逆变器的直流母线上，第一，二电压源逆变器的输出同时为零序调磁型记忆电机供电。本发明在零序调磁型记忆电机进行瞬态调磁时向其提供零序电流，真正实现了调磁功能与驱动功能的隔离，同时与传统直流调磁型记忆电机相比无需额外的直流电源，节约了成本；在零序调磁型记忆电机进行稳态运行时切断零序通路，从根本上解决了记忆电机的共性问题，即正常运行时易出现低矫顽力永磁体的磁化和退磁现象。 | ||
| 搜索关键词： | 零序调磁型 记忆 电机 电源 驱动 逆变器 拓扑 结构 | ||
【主权项】：
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