[发明专利]零序调磁型记忆电机用单电源驱动双逆变器的拓扑结构在审

专利信息
申请号: 202211562609.9 申请日: 2022-12-07
公开(公告)号: CN115800846A 公开(公告)日: 2023-03-14
发明(设计)人: 阳辉;伊禹名;林鹤云 申请(专利权)人: 东南大学
主分类号: H02P21/00 分类号: H02P21/00;H02P21/14;H02P21/22;H02P27/08;H02M7/537
代理公司: 北京同辉知识产权代理事务所(普通合伙) 11357 代理人: 张恩慧
地址: 210096 江苏省*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 零序调磁型 记忆 电机 电源 驱动 逆变器 拓扑 结构
【权利要求书】:

1.一种零序调磁型记忆电机用单电源驱动双逆变器的拓扑结构,其特征在于,所述拓扑结构包括第一电压源逆变器、第二电压源逆变器、电容器和开关,所述拓扑结构的连接方式为:输入电源接到第一电压源逆变器的直流母线上,输入电源通过开关接到第二电压源逆变器的直流母线上,第二电压源逆变器通过开关接到电容器连接线上,第一电压源逆变器和第二电压源逆变器的输出同时为零序调磁型开绕组记忆电机供电。

2.根据权利要求1所述的零序调磁型记忆电机用单电源驱动双逆变器的拓扑结构,其特征在于:所述开关数量为三个,具体为S1、S2、S3,第一电压源逆变器分别通过开关S1、S2与第二电压源逆变器连接,电容器通过S3接到第二电压源逆变器的直流母线上。

3.根据权利要求2所述的零序调磁型记忆电机用单电源驱动双逆变器的拓扑结构,其特征在于:在需要对零序调磁型记忆电机进行调磁操作时,所述拓扑结构具体为开关S1、S2闭合,S3断开,此时输入电源直接接到第一电压源逆变器和第二电压源逆变器的直流母线上,用于在零序调磁型记忆电机系统内形成零序通路。

4.根据权利要求3所述的零序调磁型记忆电机用单电源驱动双逆变器的拓扑结构,其特征在于:所述零序通路形成后,第一电压源逆变器和第二电压源逆变器的输出端会产生共模电压,共模电压与三相反电动势一起构成零序电压,即可使零序电压在零序通路上产生零序电流。

5.根据权利要求2所述的零序调磁型记忆电机用单电源驱动双逆变器的拓扑结构,其特征在于:在零序调磁型记忆电机稳态运行时,所述拓扑结构具体为开关S1、S2断开,S3闭合,此时输入电源直接接到第一电压源逆变器的直流母线上,电容器接到第二电压源逆变器的直流母线上。

6.根据权利要求4或5所述的零序调磁型记忆电机用单电源驱动双逆变器的拓扑结构,其特征在于:零序调磁型记忆电机的调磁操作或稳态运行均通过调磁信号进行控制。

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