[发明专利]一种基于波导上硫化锑的O波段多模干涉型硅基光开关在审
| 申请号： | 202211548802.7 | 申请日： | 2022-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN115755442A | 公开（公告）日： | 2023-03-07 |
| 发明（设计）人： | 张磊;王海涛;储涛 | 申请（专利权）人： | 之江实验室 |
| 主分类号： | G02F1/03 | 分类号： | G02F1/03;G02F1/035;G02F1/015;G02F1/21 |
| 代理公司： | 北京志霖恒远知识产权代理有限公司 11435 | 代理人： | 戴莉 |
| 地址： | 311121 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于波导上硫化锑的O波段多模干涉型硅基光开关，包括硅基波导、多模干涉区和相变材料薄膜，所述硅基波导包括输入波导、相移调制波导和输出波导，所述多模干涉区包括调制前多模干涉区和相移调制后多模干涉区构成，与硅基波导皆为脊波导，并位于SOI结构的顶硅层，所述相变材料薄膜由硫化锑制备，位于相移调制波导顶部，两者构成调制光传输相位的复合区，通过激发相变材料硫化锑进行相变，从而改变不同波导之间的光波相位差，实现开关状态的调制，通过本发明可以实现输入光的开关状态调制，可应用于光通信等领域，具有占用面积小、开关速度快和能量消耗小等特点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 波导 硫化锑 波段 干涉 型硅基光 开关 | ||
【主权项】：
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