[发明专利]射频芯片测试系统及高、低功率通路测试方法有效
| 申请号： | 202211548716.6 | 申请日： | 2022-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN115754682B | 公开（公告）日： | 2023-10-17 |
| 发明（设计）人： | 井立;刘希达;李振刚 | 申请（专利权）人： | 北京唯捷创芯精测科技有限责任公司 |
| 主分类号： | G01R31/28 | 分类号： | G01R31/28 |
| 代理公司： | 北京思创大成知识产权代理有限公司 11614 | 代理人： | 张加庆 |
| 地址： | 100085 北京市大兴区北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种射频芯片测试系统及高、低功率通路测试方法。该系统包括：信号合成模块包括低功率输出通路与高功率输出通路，用于合成并输出低功率与高功率信号；发射切换开关，连接信号合成模块，用于连接并切换被测芯片的不同通路；接收切换开关，连接被测芯片的不同通路，并切换连接接收分析模块的通路；接收分析模块，包括低功率分析通路与高功率分析通路，高功率分析通路上设置有高通滤波器，接收分析模块用于接收被测芯片的数据进行分析并显示。本发明将低功率通路测试和高功率通路测试兼容，通过固态开关切换，采用矢量合成的方式消除电子开关产生的非线性成分，降低通道数量从而降低成本和系统复杂度。 | ||
| 搜索关键词： | 射频 芯片 测试 系统 功率 通路 方法 | ||
【主权项】：
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