[发明专利]一种HfC-SiC复相陶瓷基复合材料及其制备方法在审
| 申请号： | 202211544338.4 | 申请日： | 2022-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN115849910A | 公开（公告）日： | 2023-03-28 |
| 发明（设计）人： | 梅敏;李军平;房金铭;孙新;李钰梅;李俊宁;王金明;耿琼;逄锦程;胡继东 | 申请（专利权）人： | 航天材料及工艺研究所 |
| 主分类号： | C04B35/56 | 分类号： | C04B35/56;C04B35/80;C04B35/81;C04B35/622;C04B35/64 |
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| 地址： | 100076 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种HfC‑SiC复相陶瓷基复合材料及其制备方法。本发明是以碳纤维编织物为增强体，采用无氧型液态HfC前驱体与SiC前驱体复配制得HfC‑SiC复相陶瓷前驱体，通过PIP工艺制备出HfC‑SiC复相陶瓷基复合材料。本发明的优点在于：制备的HfC‑SiC复相陶瓷前驱体具有陶瓷产率高、陶瓷组元比例可调控，基体中的部分SiC陶瓷组元以晶须的形式存在，可大幅提高材料的力学性能；同时，前驱体陶瓷产率的提高可大幅缩短复合材料的制备周期，进而降低碳纤维在高温裂解过程中的损伤程度，制得的HfC‑SiC复相陶瓷基复合材料具有优异的力学及抗氧化性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 hfc sic 陶瓷 复合材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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