[发明专利]一种氮气反应溅射法制备CoCrTi薄膜的方法在审
| 申请号： | 202211537876.0 | 申请日： | 2022-12-01 |
| 公开（公告）号： | CN115710687A | 公开（公告）日： | 2023-02-24 |
| 发明（设计）人： | 刘智博;朱杰志;吕圣诗 | 申请（专利权）人： | 广州智圣高分子材料科技有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/16 | 分类号： | C23C14/16;C23C14/18 |
| 代理公司： | 广东省中源正拓专利代理事务所(普通合伙) 44748 | 代理人： | 朱靖华 |
| 地址： | 510000 广东省广州市南沙区环*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种氮气反应溅射法制备CoCrTi薄膜的方法，属于电子薄膜技术领域。本发明采用Ti‑Co‑Cr合金为靶材制备薄膜，所制得的CoCrTi薄膜膜层平整，具有较高的反射率，可广泛适用于软X射线光学；另外，本发明采用梯度设计氮气流量工艺来制备CoCrTi薄膜，使薄膜内的元素成分连续过渡，实现薄膜的物理化学性能和组织结构连续变化，缓解界面处的应力集中，抑制裂纹的萌生和扩展，提高了薄膜的综合性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氮气 反应 溅射 法制 cocrti 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
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