[发明专利]锗硅光电探测器

摘要

本发明公开了一种锗硅光电探测器，涉及光电探测器领域，其技术方案要点是：包括自下而上依次堆叠的硅衬底层，二氧化硅埋氧层，波导层，锗吸收层，其特征在于，波导层包括依次连接的第一波导区、第二波导区和第三波导区，第三波导区包括P型轻掺杂区和P型重掺杂区，锗吸收层的上方设置有第一条形电极，使第一条形电极位于锗吸收层在宽度方向上的中间并远离第一波导区；P型重掺杂区的上方设置有第二条形电极，使第二条形电极位于P型重掺杂区在宽度方向上的的中间并远离第一波导区。其特点是减小与吸收层接触的金属电极的长度，通过合理设置与吸收层接触的金属电极的位置，使耦合到锗吸收层的光场分布更均匀。