[发明专利]离子源在审
申请号: | 202211531248.1 | 申请日: | 2022-12-01 |
公开(公告)号: | CN115985754A | 公开(公告)日: | 2023-04-18 |
发明(设计)人: | 任秀艳;冯喆;曾麟淇;徐昆;赵纯瑞;侯继宇 | 申请(专利权)人: | 中国原子能科学研究院 |
主分类号: | H01J49/12 | 分类号: | H01J49/12 |
代理公司: | 北京市创世宏景专利商标代理有限责任公司 11493 | 代理人: | 王鹏鑫 |
地址: | 102413 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本申请的实施例提供一种离子源,包括:气化机构,用于将固态原料气化形成饱和蒸汽,气化机构包括:多个坩埚,坩埚用于容纳固态原料;加热件,用于对坩埚加热以使固态原料气化成饱和蒸汽;分配机构,设置有多个气体入口和多个气体出口,每个气体入口与一个坩埚连接;多个等离子体生成机构,分别与气体出口连接,以接收来自气化机构的饱和蒸汽,等离子体生成机构形成有放电腔,饱和蒸汽能够在放电腔中电离形成等离子体;电子发射机构,电子发射机构能够向放电腔中发射电子,以使放电腔中的饱和蒸汽发生电离;以及引出机构,引出机构能够对放电腔中形成的等离子体施加电场,以将等离子体引出放电腔并形成离子束流。 | ||
搜索关键词: | 离子源 | ||
【主权项】:
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