[发明专利]一种基于双侧进样的高通量双凹形捕获配对结构阵列的细胞电融合芯片装置及制备方法在审
| 申请号： | 202211528020.7 | 申请日： | 2022-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN115786104A | 公开（公告）日： | 2023-03-14 |
| 发明（设计）人： | 叶东海;王雪峰;鞠熀先;柏亚七;吴洁;张小玲;王琼;杨军;胡宁 | 申请（专利权）人： | 重庆大学 |
| 主分类号： | C12M1/42 | 分类号： | C12M1/42;C12N15/02 |
| 代理公司： | 重庆强大凯创专利代理事务所(普通合伙) 50217 | 代理人： | 陈雍 |
| 地址： | 400044 *** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | 本发明涉及细胞电融合芯片领域，公开了一种基于双侧进样的高通量双凹形捕获配对结构阵列的细胞电融合芯片装置及制备方法，基于双侧进样的双凹形捕获配对结构阵列的细胞电融合芯片装置，包括从下到上依次设置的电极层和PDMS双侧流场捕获结构层，电极层连接有外细胞电融合仪，PDMS双侧流场捕获结构层包括若干阵列排布的捕获配对结构和通道，捕获配对结构均包括位于中部的配对结构和位于配对结构两侧的捕获结构，两个捕获结构对称设置。本发明能够实现细胞的快速、高效融合。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 双侧进样 通量 凹形 捕获 配对 结构 阵列 细胞 融合 芯片 装置 制备 方法 | ||
【主权项】：
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