[发明专利]一种基于双侧进样的高通量双凹形捕获配对结构阵列的细胞电融合芯片装置及制备方法

权利要求书

1.一种基于双侧进样的高通量双凹形捕获配对结构阵列的细胞电融合芯片装置，其特征在于：包括从下到上依次设置的电极层和PDMS双侧流场捕获结构层，所述电极层连接有外细胞电融合仪，所述PDMS双侧流场捕获结构层包括若干阵列排布的捕获配对结构和通道，捕获配对结构均包括位于中部的配对结构和位于配对结构两侧的捕获结构，两个捕获结构对称设置。

2.根据权利要求1所述的一种基于双侧进样的高通量双凹形捕获配对结构阵列的细胞电融合芯片装置，其特征在于：所述捕获结构由通道侧壁和微柱围成，捕获结构的一端与配对结构连通，捕获结构的另一端设置有内凹的圆弧段。

3.根据权利要求2所述的一种基于双侧进样的高通量双凹形捕获配对结构阵列的细胞电融合芯片装置，其特征在于：所述圆弧段的半径为12～16μm。

4.根据权利要求3所述的一种基于双侧进样的高通量双凹形捕获配对结构阵列的细胞电融合芯片装置，其特征在于：所述配对结构包括捕获腔室和设置在捕获腔室内的两个凹形微柱，两个凹形微柱围成两个对称的捕获位点，捕获位点的中部设置有开口，用于实现连通和待配对细胞的接触。

5.根据权利要求4所述的一种基于双侧进样的高通量双凹形捕获配对结构阵列的细胞电融合芯片装置，其特征在于：所述开口的宽度为8～14μm。

6.根据权利要求5所述的一种基于双侧进样的高通量双凹形捕获配对结构阵列的细胞电融合芯片装置，其特征在于：还包括与通道配合的PDMS融合结构芯片，PDMS融合结构芯片上设置有两个进样口、两个出样口、结构微柱、微通道和储样池，结构微柱、微通道和储样池均设置在PDMS融合结构芯片底部，两个进样口和出样口分别设置为垂直贯穿PDMS融合结构芯片并位于储样池的上方。

7.根据权利要求6所述的一种基于双侧进样的高通量双凹形捕获配对结构阵列的细胞电融合芯片装置，其特征在于：所述电极层为ITO电极层，ITO电极层上设置有叉指电极阵列，叉指电极阵列的相邻两个梳齿距离为60～80μm范围，叉指电极的宽度为150～200μm。

8.根据权利要求1-7任一所述的一种基于双侧进样的高通量双凹形捕获配对结构阵列的细胞电融合芯片装置的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤一、采用湿法刻蚀法加工电极层；

步骤二、构建PDMS双侧流场捕获结构层，利用PDMS多聚物通过软光刻工艺和倒模构建；

步骤三、等离子清洗；

步骤四、键合。

9.根据权利要求8所述的一种基于双侧进样的高通量双凹形捕获配对结构阵列的细胞电融合芯片装置的制备方法，其特征在于：步骤三中，等离子清洗的条件为清洗时间10～15s。

10.根据权利要求9所述的一种基于双侧进样的高通量双凹形捕获配对结构阵列的细胞电融合芯片装置的制备方法，其特征在于：步骤四中，所述键合工艺为热键和，键合温度为100～150℃。