[发明专利]一种g-C3在审

专利信息
申请号: 202211516781.0 申请日: 2022-11-30
公开(公告)号: CN116177502A 公开(公告)日: 2023-05-30
发明(设计)人: 霍开富;高标;张徽;邓佳果;付继江 申请(专利权)人: 武汉科技大学
主分类号: C01B21/082 分类号: C01B21/082;C01B33/00;H01M4/36;H01M4/38;H01M4/62;H01M10/0525
代理公司: 北京君有知识产权代理事务所(普通合伙) 11630 代理人: 焦丽雅
地址: 430081 湖北省武汉市青山*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明提供了一种g‑C3N4层包覆硅负极材料的制备方法及其应用。本发明以硅纳米颗粒、硅纳米线或者多孔硅等为原料,将硅原料放入不同浓度尿素溶液中超声振荡,水浴蒸干后冷冻干燥处理;将硅样品置于管式炉中,在惰性气氛下以一定升温速率进行退火处理,冷却至室温即可得到g‑C3N4层包覆的硅复合负极材料。g‑C3N4包覆层能解决硅导电性不足和固体电解质膜不稳定的问题。另外,g‑C3N4在嵌Li+后形成高导电和高锂离子传输的Li3N,因而g‑C3N4层包覆硅负极材料表现出优异的电化学性能,在锂离子电池方面具有广阔的应用前景。
搜索关键词: 一种 base sub
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