[发明专利]一种g-C3

权利要求书

1.一种g-C₃N₄层包覆的硅材料的制备方法，包括如下步骤：

S1：选用多孔硅或者纳米硅颗粒或者一维硅纳米线材料，浸入含氮化合物溶液中超声振荡一定时间，随后放入水浴锅中蒸干，后冷冻干燥处理；

S2：将S1获得的样品在惰性气氛下加热至一定温度，保温一定时间，冷却至室温后得到所述g-C₃N₄层包覆的硅材料。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，S1中所述含氮化合物选自尿素、三聚氰胺、硫脲、二聚氰胺、二氰二胺中的任一种；进一步优选尿素。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，S1中所述多孔硅或者纳米硅颗粒或者一维硅纳米线材料与含氮化合物的质量比为4:1～1:4；优选1:1～4；进一步优选1:1.8～2.5；更优选1:2。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，S1中所述超声振荡的时间控制在5-120min；优选30-100min；进一步优选60-80min；更优选60min。

5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，S1中所述水浴锅的温度为40-120℃；进一步优选60-80℃；更优选60℃。

6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，S2中所述加热的速率为0.1-20℃/min；优选2-10℃/min；进一步优选5-10℃/min；更优选5℃/min。

7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，S2中所述加热的温度为400-800℃；优选500-800℃；更优选550℃。

8.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，S2中所述保温的时间为1-180min；优选30-120min；进一步优选60-100min；更优选60min。

9.一种g-C₃N₄层包覆的硅材料，其特征在于，采用权利要求1～8任一项所述的制备方法制得。

10.一种锂离子电池，包括正极材料、负极材料、电解液和隔膜，所述负极材料包括权利要求9所述的g-C₃N₄层包覆的硅材料。