[发明专利]一种磁控溅射平面阴极及其磁路有效
| 申请号： | 202211497834.9 | 申请日： | 2022-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN115505890B | 公开（公告）日： | 2023-05-05 |
| 发明（设计）人： | 游锦山 | 申请（专利权）人： | 中科纳微真空科技（合肥）有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35 |
| 代理公司： | 合肥金律专利代理事务所(普通合伙) 34184 | 代理人： | 段晓微 |
| 地址： | 230088 安徽省合肥*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种磁控溅射平面阴极及其磁路，通过在磁极颠倒布置的两个磁体之间放置调节磁体，调节磁体和两侧的磁体之间形成相互吸引的磁力线分布，把两侧磁体之间的磁力线具有向磁轭方向拉凹的趋势，从而使得靶材表面的抛物线形状的磁力线趋势比较平缓，因此刻蚀后的靶材会形成与磁力线形状相反的刻蚀跑道趋势，使得跑道平缓，加宽靶材的实际刻蚀跑道，有效的提升靶材的利用率，同时非弱磁设计，从而能够得到常规平面阴极的磁场强度，进而获得常规的溅射工艺电压。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 磁控溅射 平面 阴极 及其 磁路 | ||
【主权项】：
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