[发明专利]一种C/SiC-HfC陶瓷基复合材料及其制备方法有效
| 申请号： | 202211494622.5 | 申请日： | 2022-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN115716760B | 公开（公告）日： | 2023-09-26 |
| 发明（设计）人： | 杨良伟;景贵龙;郝乃蓉;孙娅楠;陈昊然;刘伟;刘俊鹏;孙同臣 | 申请（专利权）人： | 航天特种材料及工艺技术研究所 |
| 主分类号： | C04B35/80 | 分类号： | C04B35/80;C04B35/571;C04B35/56;C04B35/622;C01B32/19;C01B32/194 |
| 代理公司： | 北京格允知识产权代理有限公司 11609 | 代理人： | 刘晓 |
| 地址： | 100074 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种C/SiC‑HfC陶瓷基复合材料及其制备方法。所述方法为：制备碳纤维预制体，通过化学气相沉积法在碳纤维预制体内部沉积热解碳，得到多孔C/C基体；以硅铪合金粉为反应物通过反应熔渗法将多孔C/C基体制成陶瓷基复合材料；通过浸渍裂解法将硅铪前驱体溶液与陶瓷基复合材料反应，制得C/SiC‑HfC陶瓷基复合材料；硅铪前驱体溶液的制备为：用二甲苯将聚碳硅烷和铪酸酯混匀，加入乙酰丙酮和烯丙基酚醛树脂在5～45℃反应30～240min，得到硅铪前驱体溶液。本发明通过将反应熔渗技术与浸渍裂解技术相结合且保证了形成的碳化硅和碳化铪组分分布的均匀性，有效降低了制备周期和明显提升了力学性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 sic hfc 陶瓷 复合材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于航天特种材料及工艺技术研究所，未经航天特种材料及工艺技术研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202211494622.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
