[发明专利]一种正负压对称的SOI压力敏感芯片设计方法在审
| 申请号： | 202211490848.8 | 申请日： | 2022-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN115979470A | 公开（公告）日： | 2023-04-18 |
| 发明（设计）人： | 黄炜;高国民;田开芳;周岚生;陈林玉;朱宁;牛孟霄 | 申请（专利权）人： | 中化天康科技（南京）有限公司;中国化学工程第十四建设有限公司 |
| 主分类号： | G01L1/18 | 分类号： | G01L1/18;B81B3/00;G01L9/06;G01L13/06 |
| 代理公司： | 南京众联专利代理有限公司 32206 | 代理人： | 毕东峰 |
| 地址： | 210044 江苏省南*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种正负压对称的SOI压力敏感芯片设计方法，包括：针对压力敏感电阻设计敏感膜片的中心和边缘两个不同区域的情况，对敏感膜片进行应力模拟分析；根据发生最大应变力位置确定所述压力敏感电阻的区域，并确定所述压力敏感电阻与所述发生最大应变力位置之间的距离，所述最大应变力位置为腐蚀斜坡的根部位置，当对芯片正面及反面施加同样大小压力时，两个方向的正负应变和位移变化均相等，保证敏感电阻所处于弹性膜片的位置，通过应力对称设计和应力匹配工艺，制作出正负压对称的压力敏感芯片，当正反两侧分别受到同样量值的压力时，输出保持一致，该种结构的敏感芯片正反方向对压力敏感的对称性很好，正面与背面应力相匹配。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 正负 对称 soi 压力 敏感 芯片 设计 方法 | ||
【主权项】：
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