[发明专利]光学邻近修正方法、系统、电子设备及存储介质在审
| 申请号: | 202211481980.2 | 申请日: | 2022-11-24 |
| 公开(公告)号: | CN115826349A | 公开(公告)日: | 2023-03-21 |
| 发明(设计)人: | 赵西金;李秋良;胡滨 | 申请(专利权)人: | 珠海市睿晶聚源科技有限公司 |
| 主分类号: | G03F1/36 | 分类号: | G03F1/36;G03F7/20 |
| 代理公司: | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人: | 赵伟杰 |
| 地址: | 519000 广东省珠*** | 国省代码: | 广东;44 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | 本发明公开了一种光学邻近修正方法、系统及计算机可读存储介质,包括:获取第一设计版图、第二设计版图以及第一设计版图的第一掩膜版图,其中,第一掩膜版图由对第一设计版图数据转换得到;将第一设计版图与第二设计版图进行异或比较,生成待修正区域信息,其中,所述待修正区域信息包括区域坐标信息;根据待修正区域信息以及第一掩膜版图对第二设计版图进行光学邻近修正,得到修正结果;根据区域坐标信息以及修正结果对第一掩膜版图进行替换处理,得到第二掩膜版图。本发明实施例中,能够自动比较第二设计版图与第一设计版图的差异,提高光学修正效率。 | ||
| 搜索关键词: | 光学 邻近 修正 方法 系统 电子设备 存储 介质 | ||
【主权项】:
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
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G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备





