[发明专利]一种压接型功率半导体器件压力分布测试装置及测试方法在审
| 申请号： | 202211439668.7 | 申请日： | 2022-11-17 |
| 公开（公告）号： | CN115790934A | 公开（公告）日： | 2023-03-14 |
| 发明（设计）人： | 林仲康;魏晓光;唐新灵;王亮;崔新奇;王浩洋;徐治 | 申请（专利权）人： | 北京智慧能源研究院;国网上海市电力公司 |
| 主分类号： | G01L5/00 | 分类号： | G01L5/00;G01L1/25 |
| 代理公司： | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人： | 李静玉 |
| 地址： | 102209 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种压接型功率半导体器件压力分布测试装置及测试方法，该装置包括：基座，用于和待测器件连接，保持待测器件的正常工作；压力测量装置，测量施加在待测器件的整体压力值；超声波发射接收传感器，测量待测器件内部每个芯片的相对压力；处理器，用于接收整体压力值和相对压力，获取待测器件内部每个芯片压力值。通过设置基座，为待测器件提供通流能力，还可以作为待测器件进行压力测试时的物理载体；设置超声波发射接收传感器以及压力测量装置实现了芯片相对压力以及器件整体压力的测量；设置处理器计算得到待测器件内部每个芯片压力值。解决了现有技术中无法对工作状态下压接型功率半导体器件内部芯片压力进行准确测试的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 压接型 功率 半导体器件 压力 分布 测试 装置 方法 | ||
【主权项】：
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