[发明专利]一种eGaN HEMT功率变换器驱动电阻的选择方法有效
| 申请号： | 202211435921.1 | 申请日： | 2022-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN115859889B | 公开（公告）日： | 2023-07-18 |
| 发明（设计）人： | 贺远航;张桂东 | 申请（专利权）人： | 广东工业大学 |
| 主分类号： | G06F30/367 | 分类号： | G06F30/367;G06F30/373 |
| 代理公司： | 北京金诚同达律师事务所 11651 | 代理人： | 万鹏 |
| 地址： | 510060 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种eGaN HEMT功率变换器驱动电阻的选择方法。步骤主要包括：依照半导体器件数据表将部分非线性参数进行曲线拟合，得到对应的线性关系，并且依据线性化的结果，得到线性化的器件模型；统计等效电路中的全部变量，并且对部分变量进行简化，以简化后的变量为基础，对功率变换器的开关过程以及振铃阶段进行建模；计算并设置初值，使用数学工具对所建模型进行求解，对比模型分析结果与实验结果。本发明相比传统的eGaN HEMT开关过程分析方法，具有着近似的精确性但方法简单，能够帮助工程师们更好的设计驱动电路并使用eGaN HEMT。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 egan hemt 功率 变换器 驱动 电阻 选择 方法 | ||
【主权项】：
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