[发明专利]一种多晶硅副产低聚氯硅烷中六氯二硅烷的分离方法在审
| 申请号： | 202211413444.9 | 申请日： | 2022-11-11 |
| 公开（公告）号： | CN116102018A | 公开（公告）日： | 2023-05-12 |
| 发明（设计）人： | 张建树;赵文龙;张金利;郭瑞丽;彭文才 | 申请（专利权）人： | 石河子大学 |
| 主分类号： | C01B33/107 | 分类号： | C01B33/107 |
| 代理公司： | 新疆知产力专利代理事务所(特殊普通合伙) 65113 | 代理人： | 马金红 |
| 地址： | 832003 新疆维*** | 国省代码： | 新疆;65 |
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| 摘要： |
本发明提供一种多晶硅副产低聚氯硅烷中六氯二硅烷的分离方法，包括以下步骤：(1)将多晶硅副产低聚氯硅烷进行裂解反应，所述裂解反应是通入HCl气体与多晶硅副产低聚氯硅烷进行反应，反应温度为90℃‑120℃，将产生的气体冷凝，并收集裂解反应的剩余液体；所述多晶硅副产低聚氯硅烷包括六氯乙硅烷、六氯乙硅氧烷、五氯乙硅烷、四氯硅烷和三氯氢硅；(2)将裂解反应的剩余液体进行低温结晶，过滤分离出晶体。本发明所提供的裂解反应与结晶分离结合的方法，对设备要求低，制备过程简单，耗能低，对多晶硅二聚体中分离Si |
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| 搜索关键词： | 一种 多晶 硅副产低聚氯 硅烷 中六氯二 分离 方法 | ||
【主权项】：
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