[发明专利]气相渗铝制备近净成型铝基碳化硅箔材的设备及方法在审
| 申请号： | 202211413433.0 | 申请日： | 2022-11-11 |
| 公开（公告）号： | CN115786759A | 公开（公告）日： | 2023-03-14 |
| 发明（设计）人： | 王建;郭称发;廖明顺;赵锴 | 申请（专利权）人： | 广州众山精密科技有限公司 |
| 主分类号： | C22C1/10 | 分类号： | C22C1/10;C22C29/06 |
| 代理公司： | 广东省中源正拓专利代理事务所(普通合伙) 44748 | 代理人： | 党冲 |
| 地址： | 511300 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种气相渗铝制备近净成型铝基碳化硅箔材的设备及方法，属于铝基碳化硅复合材料技术领域。包括气体铝化物发生炉和渗铝炉，气体铝化物发生炉通过渗铝炉进气控制阀门与渗铝炉相连接，气体铝化物发生炉通过第一进气控制阀门与氯化氢气瓶相连接，渗铝炉通过第二进气控制阀门与氢气瓶相连接，渗铝炉底部通过尾气控制阀门与气泵相连接，内循环管道将渗铝炉和气体铝化物发生炉连接，渗铝炉和气体铝化物发生炉通过第二管道和内循环管道构成闭合的循环气路，内循环阀门安装在内循环管道上控制所述循环气路通断，渗铝炉内设置有炉内循环挂架，得到近净成型的铝基碳化硅箔材，残留的铝和HCl气体通过内循环系统重新进入气体铝化物发生炉。 | ||
| 搜索关键词： | 气相渗 铝制 备近净 成型 碳化硅 设备 方法 | ||
【主权项】：
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