[发明专利]一种利用二维平面纳米导电材料侧面的电化学一维纳米电极及其制备方法与应用在审
| 申请号： | 202211385985.5 | 申请日： | 2022-11-07 |
| 公开（公告）号： | CN115901888A | 公开（公告）日： | 2023-04-04 |
| 发明（设计）人： | 曹阳;胡晟;周丽君;杨重阳 | 申请（专利权）人： | 厦门大学;嘉庚创新实验室 |
| 主分类号： | G01N27/30 | 分类号： | G01N27/30;G01N27/416;B82Y15/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 北京正桓知识产权代理事务所(普通合伙) 11979 | 代理人： | 于宝庆 |
| 地址： | 361000 *** | 国省代码： | 福建;35 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提出了一种利用二维平面纳米导电材料侧面的电化学一维纳米电极及其制备方法与应用，改进了非导电材料封装二维平面纳米导电材料的封装方案，实现了异质结的原子级洁净度，精确控制二维平面纳米导电材料一维侧面的面积大小、侧面材料选择、掺杂基团和材料间叠层组合，并拓宽了非导电材料封装二维平面纳米导电材料的异质结的应用领域。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 利用 二维 平面 纳米 导电 材料 侧面 电化学 电极 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于厦门大学;嘉庚创新实验室，未经厦门大学;嘉庚创新实验室许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202211385985.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
