[发明专利]冷阴极平板相干X射线源及其制备方法在审

专利信息
申请号: 202211371927.7 申请日: 2022-11-03
公开(公告)号: CN115692141A 公开(公告)日: 2023-02-03
发明(设计)人: 陈军;康颂;邓少芝;许宁生 申请(专利权)人: 中山大学
主分类号: H01J35/06 分类号: H01J35/06;H01J35/08;H01J9/00;H01J9/02;H01J9/18
代理公司: 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 代理人: 谭英强
地址: 510275 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明公开了一种冷阴极平板相干X射线源及其制备方法,包括阳极基板、阴极基板、绝缘隔离体及排气装置;阳极基板包括阳极衬底、阳极导电层及若干个透射靶,阳极导电层的两侧分别为阳极衬底及周期性分布的透射靶;或,阳极基板包括阳极衬底、阳极导电层、透射靶膜层及若干个吸收光栅,阳极衬底的一侧依次设置有阳极导电层和透射靶膜层,另一侧设置有周期性分布的吸收光栅;阴极基板包括阴极衬底及阴极衬底依次设置的阴极导电层、生长源薄膜和纳米冷阴极电子源;阳极导电层与阴极导电层相对平行;绝缘隔离体设置于阳极基板及阴极基板之间,以形成密闭空间。本发明实施例能够减低工作温度,实现大面积平面发射相干X射线,可广泛应用于电子元器件。
搜索关键词: 阴极 平板 相干 射线 及其 制备 方法
【主权项】:
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