[发明专利]单晶炉及单晶硅晶棒的制造方法在审

专利信息
申请号: 202211364100.3 申请日: 2022-11-02
公开(公告)号: CN115652423A 公开(公告)日: 2023-01-31
发明(设计)人: 赵巍;龙昭钦;宋丽平;龙小娇 申请(专利权)人: 四川晶科能源有限公司
主分类号: C30B27/02 分类号: C30B27/02;C30B29/06
代理公司: 上海晨皓知识产权代理事务所(普通合伙) 31260 代理人: 成丽杰
地址: 614802 四川省*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 本申请实施例提供一种单晶炉及单晶硅晶棒的制造方法,单晶炉的底板与侧板围成容纳腔,底板上有电极安装槽,第一底保温层位于容纳腔内且具有贯穿第一底保温层与电极安装槽正对的第一通孔,护盘压片位于第一底保温层上方的容纳腔内且具有贯穿护盘压片且与第一通孔正对的第二通孔,底加热器位于护盘压片上方的容纳腔内且与护盘压片间的间距在预设间距范围之内,环形保温部位于第一底保温层表面且环绕护盘压片,第二底保温层位于第一底保温层与底板间且有贯穿第二底保温层且与第二通孔正对的第三通孔,电极位于电极安装槽内且穿过第三通孔、第二通孔以及第一通孔与底加热器连接。本申请实施例至少可以提高单晶硅晶棒的品质。
搜索关键词: 单晶炉 单晶硅 制造 方法
【主权项】:
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