[发明专利]单晶炉及单晶硅晶棒的制造方法

说明书

本申请实施例提供一种单晶炉及单晶硅晶棒的制造方法，单晶炉的底板与侧板围成容纳腔，底板上有电极安装槽，第一底保温层位于容纳腔内且具有贯穿第一底保温层与电极安装槽正对的第一通孔，护盘压片位于第一底保温层上方的容纳腔内且具有贯穿护盘压片且与第一通孔正对的第二通孔，底加热器位于护盘压片上方的容纳腔内且与护盘压片间的间距在预设间距范围之内，环形保温部位于第一底保温层表面且环绕护盘压片，第二底保温层位于第一底保温层与底板间且有贯穿第二底保温层且与第二通孔正对的第三通孔，电极位于电极安装槽内且穿过第三通孔、第二通孔以及第一通孔与底加热器连接。本申请实施例至少可以提高单晶硅晶棒的品质。

技术领域

本申请实施例涉及单晶硅制造技术领域，特别涉及一种单晶炉及单晶硅晶棒的制造方法。

背景技术

随着科技的不断发展，现代化建设对高效清洁能源需求不断增长。光伏发电作为绿色能源以及人类可持续发展的主要能源的一种，日益受到世界各国的重视并得到广泛地应用与发展。目前，生产单晶硅采用的方法可以包括在单晶炉中采用直拉法来生长单晶硅，其中，单晶炉通过在惰性气体环境中用加热装置将硅原料熔化、用直拉法生长单晶硅晶棒。然而，现有的单晶炉采用直拉法所生长的单晶硅晶棒品质较为一般，不利于提升太阳能电池的效率。

发明内容

本申请实施例提供一种单晶炉及单晶硅晶棒的制造方法，至少有利于提高形成的单晶硅晶棒的品质。

根据本申请一些实施例，本申请实施例一方面提供一种单晶炉，包括：底板以及与所述底板连接的侧板，所述侧板与所述底板围成容纳腔，且所述底板上开设有电极安装槽；第一底保温层，位于所述容纳腔内，且所述第一底保温层具有贯穿所述第一底保温层且与所述电极安装槽正对的第一通孔；护盘压片，位于所述容纳腔内且位于所述第一底保温层的上方，所述护盘压片还具有贯穿所述护盘压片且与所述第一通孔正对的第二通孔；底加热器，位于所述容纳腔内且位于所述护盘压片的上方，且所述底加热器与所述护盘压片之间的间距在预设间距范围之内；环形保温部，位于所述第一底保温层表面且环绕所述护盘压片设置；第二底保温层，位于所述第一底保温层与所述底板之间，且与所述第一底保温层以及所述底板均接触，所述第二底保温层还具有贯穿所述第二底保温层且与所述第二通孔正对的第三通孔；电极，所述电极位于所述电极安装槽内，且延伸并穿过所述第三通孔、所述第二通孔以及所述第一通孔与所述底加热器连接。

在一些实施例中，所述预设间距范围为120mm～150mm。

在一些实施例中，所述第二底保温层包括沿所述电极的延伸方向堆叠的多层软毡。

在一些实施例中，所述多层软毡中软毡的层数为4～7。

在一些实施例中，所述多层软毡中每一所述软毡的高度范围为9.8mm～10.2mm。

在一些实施例中，所述护盘压片的侧壁与所述环形保温部的内侧壁接触。

在一些实施例中，所述环形保温部的内径为1108mm～1112mm，所述环形保温部的外径为1398mm～1402mm，所述环形保温部的厚度为58mm～62mm。

在一些实施例中，所述环形保温部的材质包括固化硬毡、石墨或者碳碳。

在一些实施例中，所述单晶炉还包括坩埚，所述坩埚设置于所述底加热器上方。