[发明专利]一种基于卤素杂化钙钛矿的自整流忆阻器及其制备方法在审
| 申请号： | 202211362106.7 | 申请日： | 2022-11-02 |
| 公开（公告）号： | CN115666217A | 公开（公告）日： | 2023-01-31 |
| 发明（设计）人： | 王琳;宋雪芬;葛飞翔;刘子聪;顾恒硕 | 申请（专利权）人： | 南京工业大学 |
| 主分类号： | H10N70/20 | 分类号： | H10N70/20;H10B63/00 |
| 代理公司： | 南京知识律师事务所 32207 | 代理人： | 吴频梅 |
| 地址： | 211816 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开一种基于卤素杂化钙钛矿的自整流忆阻器，属于微电子制造及存储技术领域。所述自整流忆阻器是一种包括上电极、钙钛矿层、下电极的三层器件，在负电压扫描范围呈现出高、低两个阻态，而在正电压扫描范围始终保持在高阻态。所述忆阻器是依靠钙钛矿/金属界面瞬时形成的金属卤化物，钙钛矿可以与该卤化物形成p‑n结，反向p‑n结形成阻挡层，助推实现类二极管效应的自整流忆阻器。本发明首次基于钙钛矿材料体系实现了自整流忆阻器，丰富了钙钛矿忆阻器的功能特征，拓展了自整流忆阻器的材料选择范围，是一种低成本设计，可以满足高集成十字交叉阵列中存储单元的信息准确读取需求。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 卤素 杂化钙钛矿 整流 忆阻器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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