[发明专利]基于栅极调控的硅纳米线阵列式加速度计及其加工工艺在审
| 申请号： | 202211339653.3 | 申请日： | 2022-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN115650153A | 公开（公告）日： | 2023-01-31 |
| 发明（设计）人： | 杨勋;郑驰霖;刘超然;郭礼康 | 申请（专利权）人： | 西华师范大学 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;G01P15/09 |
| 代理公司： | 浙江永鼎律师事务所 33233 | 代理人： | 周希良 |
| 地址： | 637001 *** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明涉及基于栅极调控的硅纳米线阵列式加速度计及其加工工艺。硅纳米线阵列式加速度计包括硅纳米线阵列、氮化硅薄膜、质量块、金电极、栅极和硅基底。当加速度计受到外界的加速度作用时，质量块位移会使得硅纳米线发生形变，硅纳米线形变会导致电导发生变化，进而输出变化的信号；同时，栅极能够调制硅纳米线阵列沟道，进而寻找出器件的最佳工作点。另外，本发明工艺简单、成本低廉。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 栅极 调控 纳米 阵列 加速度计 及其 加工 工艺 | ||
【主权项】：
暂无信息
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