[发明专利]单晶硅晶体生长装置及其控制方法在审
| 申请号： | 202211328462.7 | 申请日： | 2022-10-27 |
| 公开（公告）号： | CN115467012A | 公开（公告）日： | 2022-12-13 |
| 发明（设计）人： | 陈俊宏 | 申请（专利权）人： | 徐州鑫晶半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/00 | 分类号： | C30B15/00;C30B15/20;C30B29/06 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 雷玉龙 |
| 地址： | 221004 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种单晶硅晶体生长装置及其控制方法，单晶硅晶体生长装置包括内壳、外壳、坩埚组件、感应线圈、隔热组件、第一转动机构、晶体提拉机构和保护气连接管，内壳具有长晶室和隔离室，外壳罩设于内壳外，且与内壳之间形成安装腔，感应线圈设于安装腔内，隔热组件围绕内壳设置，且设于内壳和感应线圈之间，第一转动机构设在内壳的底部以支撑和驱动内壳相对外壳转动，晶体提拉机构固设于隔离室内且适于自通口伸入长晶室以用于提拉晶体，晶体提拉机构适于跟随内壳同步转动，保护气连接管穿设于隔离室且连通至长晶室。根据本发明实施例的单晶硅晶体生长装置，可以延长感应线圈的使用寿命，且便于简化单晶硅生长装置顶部结构的复杂度。 | ||
| 搜索关键词： | 单晶硅 晶体生长 装置 及其 控制 方法 | ||
【主权项】：
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