[发明专利]半导体器件在审
| 申请号： | 202211305604.8 | 申请日： | 2022-10-24 |
| 公开（公告）号： | CN116110967A | 公开（公告）日： | 2023-05-12 |
| 发明（设计）人： | 佐佐木英树;佃龙明;下山浩哉 | 申请（专利权）人： | 瑞萨电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L25/16;H01L23/495;H02M7/00;H02M7/5387 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 张宁 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种半导体器件，包括具有非重叠区域的半导体芯片，在该非重叠区域中用于主晶体管的源焊盘和夹片彼此不重叠。此时，感测晶体管被布置在非重叠区域的区域中，该区域在平面图中位于夹片的第一部分与源焊盘的第一短边之间。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
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