[发明专利]一种高熵化等离子熔覆层、制备方法及应用在审

专利信息
申请号: 202211297179.2 申请日: 2022-10-21
公开(公告)号: CN115725924A 公开(公告)日: 2023-03-03
发明(设计)人: 陈芙蓉;王成浩 申请(专利权)人: 内蒙古工业大学
主分类号: C23C4/134 分类号: C23C4/134;C23C4/08;C22C30/00
代理公司: 重庆信必达知识产权代理有限公司 50286 代理人: 詹艳
地址: 010050 内蒙古*** 国省代码: 内蒙古;15
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摘要: 发明属于等离子熔覆层技术领域,公开了一种高熵化等离子熔覆层、制备方法及应用,高熵化等离子熔覆层的制备方法包括:准备FeCoCrNiMn金属粉末,并进行混合;混合完成后,进行压片;预置金属表面,采用等离子电弧进行熔覆,将压制好的金属粉末放置在砂纸打磨好的基体表面;采用合适的参数进行熔覆;参数为粉末厚度1.7mm、电流190A、等离子气1L/min、保护气8L/min。本发明解决了现有技术中块体高熵合金受形状、尺寸以及高昂的生产成本影响,限制了其工程应用的问题。本发明中FeCoCrNiMn系高熵化等离子熔覆层制备工艺可以极大的提高材料表面硬度及耐磨性,提高耐腐蚀性。
搜索关键词: 一种 高熵化 等离子 覆层 制备 方法 应用
【主权项】:
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