[发明专利]具有dropout功能的忆阻器件、忆阻器件阵列及制造方法在审
| 申请号： | 202211295383.0 | 申请日： | 2022-10-21 |
| 公开（公告）号： | CN115472741A | 公开（公告）日： | 2022-12-13 |
| 发明（设计）人： | 张亦舒;凡雪蒙 | 申请（专利权）人： | 浙江大学杭州国际科创中心 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24 |
| 代理公司： | 杭州五洲普华专利代理事务所(特殊普通合伙) 33260 | 代理人： | 姚宇吉 |
| 地址： | 311200 浙江省杭*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种具有dropout功能的忆阻器件、忆阻器件阵列及制造方法。本发明的具有dropout功能的忆阻器件包括逐层依次设置的第一电极、铁电材料层、二维石墨烯材料层、易失性器件电介质层和银电极所形成的垂直异质结构，其中二维石墨烯材料层充当银离子的阻挡层，在二维石墨烯材料层的帮助下，本发明实施例的忆阻器件实现易失性和非易失性动态行为的结合。易失性的银导电丝在易失性器件电介质层中的随机动态生长过程能够抑制潜行电流的同时实现dropout功能，而非易失性的铁电材料层通过铁电极化翻转能够实现高性能的突触可塑性行为。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 dropout 功能 器件 阵列 制造 方法 | ||
【主权项】：
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