[发明专利]一种垂直腔面发射激光器及其制备方法在审
| 申请号： | 202211262313.5 | 申请日： | 2022-10-14 |
| 公开（公告）号： | CN115693401A | 公开（公告）日： | 2023-02-03 |
| 发明（设计）人： | 王凤玲;雷彪;王田瑞;金龙;张健;程丽 | 申请（专利权）人： | 威科赛乐微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/183 | 分类号： | H01S5/183 |
| 代理公司： | 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 | 代理人： | 黄宗波 |
| 地址： | 404040 重*** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | 本发明涉及芯片制造技术领域，公开了一种垂直腔面发射激光器及其制备方法，包括衬底和外延结构，所述外延结构包括依次生长在衬底上的N‑DBR、有源区、氧化限制层、光栅基底高折射率过渡层、高折射率层和部分刻蚀高折射率光栅层，所述部分刻蚀高折射率光栅层上沉积有光学膜保护层，所述有源区、N‑DBR、氧化限制层、光栅基底高折射率过渡层、高折射率层和部分刻蚀高折射率光栅层上设有光学膜层，光学膜层上设有互联金属；方法包括晶圆制备、晶圆曝光、晶圆刻蚀、第一次台面刻蚀、第二次台面刻蚀、沉积光学保护膜、种子层溅射、互联金属制备和出光口金属刻蚀。本发明使用亚波长光栅代替VCSEL的P面反射镜，满足垂直腔面发射激光器器件小型化的要求。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 垂直 发射 激光器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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