[发明专利]一种带悬臂梁结构的GaN太赫兹单片电路及管芯的制造方法在审
| 申请号： | 202211259727.2 | 申请日： | 2022-10-14 |
| 公开（公告）号： | CN115579327A | 公开（公告）日： | 2023-01-06 |
| 发明（设计）人： | 代鲲鹏;潘斌;张凯;吴少兵;林罡;章军云 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 |
| 主分类号： | H01L21/8252 | 分类号： | H01L21/8252;H01L21/78;H01L23/66 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人： | 姚建楠 |
| 地址： | 210016 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体制造技术领域，具体涉及一种带悬臂梁结构的GaN太赫兹单片电路及管芯的制造方法，带悬臂梁结构的GaN太赫兹单片电路及管芯，包括：衬底、位于衬底上的GaN、位于GaN上的器件、位于衬底上的金属层电路以及位于GaN上的悬臂梁；本发明完全兼容目前主流的各种GaN微波功率器件和MMIC工艺，采用刻蚀特定区域衬底和GaN的方式使电路大部分区域与圆片分离，最后结合传统划片工艺将太赫兹单片电路及管芯从圆片上完全分离出来，既形成了悬臂梁结构同时也避免划片工艺对悬臂梁造成损伤，使带悬臂梁结构的GaN太赫兹单片电路及管芯具备大规模批量生产的能力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 悬臂梁 结构 gan 赫兹 单片 电路 管芯 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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