[发明专利]基于红外显微数字全息的半导体缺陷检测装置及方法在审

专利信息
申请号: 202211253312.4 申请日: 2022-10-13
公开(公告)号: CN115494005A 公开(公告)日: 2022-12-20
发明(设计)人: 张永安;赖本林;张亚萍;陈强珅 申请(专利权)人: 昆明理工大学
主分类号: G01N21/01 分类号: G01N21/01;G01N21/95
代理公司: 成都方圆聿联专利代理事务所(普通合伙) 51241 代理人: 苟铭
地址: 650500 云南*** 国省代码: 云南;53
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摘要: 发明公开一种基于红外显微数字全息的半导体缺陷检测装置及方法,红外半导体激光器发出的光束经偏振片调制后分成两束;第一束激光成为平行光,被反射后作为参考光束;第二束激光成为平行光,照射并透过待测半导体,经透镜放大系统调制后的光束成为物光束;物光束和参考光束在分束镜上形成红外全息干涉图,由图像采集装置进行接收记录,再传递给计算机记录包含待测半导体相位信息的全息图;将无缺陷和有缺陷的半导体全息图进行图像处理,重建相位并作相位差,通过相位差即可判断半导体是否存在缺陷。本发明将红外显微数字全息技术用于半导体缺陷检测,可实现对不同尺寸、半导体表面及内部的缺陷检测极大提升了检测效率,保证检测的精度。
搜索关键词: 基于 红外 显微 数字 全息 半导体 缺陷 检测 装置 方法
【主权项】:
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