[发明专利]一种石墨烯铜箔电极及其制备方法在审
| 申请号： | 202211250610.8 | 申请日： | 2022-10-13 |
| 公开（公告）号： | CN115548254A | 公开（公告）日： | 2022-12-30 |
| 发明（设计）人： | 王炜;王登诗;易军 | 申请（专利权）人： | 重庆石墨烯研究院有限公司 |
| 主分类号： | H01M4/13 | 分类号： | H01M4/13;H01M4/80;H01M4/66;H01M4/139;H01M10/654;H01M10/0525 |
| 代理公司： | 重庆知竞合专利代理事务所(普通合伙) 50291 | 代理人： | 张朋飞 |
| 地址： | 401329 重庆市九龙坡*** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | 本发明涉及铜箔电极领域，具体涉及一种石墨烯铜箔电极及其制备方法，石墨烯铜箔电极包括集流体和负极浆料层，负极浆料层位于集流体的一侧，集流体的另一侧覆盖有石墨烯薄膜，集流体上设有通孔，石墨烯薄膜的表面上设有凸点，凸点位于通孔中，凸点和通孔的内壁贴合；制备方法，包括以下步骤：步骤一：制备表面设有凸点的石墨烯薄膜；步骤二：将石墨烯薄膜覆盖于集流体的一侧，集流体上设有多个通孔，使凸点位于集流体的通孔中；步骤三：将负极浆料涂覆于集流体的另一侧而形成负极浆料层。通过本方案，解决了在集流体背面形成“死锂”的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 石墨 铜箔 电极 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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