[发明专利]一种含硅混阴离子非线性光学晶体及其制备方法和应用在审

专利信息
申请号: 202211248737.6 申请日: 2022-10-12
公开(公告)号: CN115467009A 公开(公告)日: 2022-12-13
发明(设计)人: 林华;朱起龙;石永芳 申请(专利权)人: 闽都创新实验室
主分类号: C30B1/02 分类号: C30B1/02;C30B29/46;G02F1/355
代理公司: 北京元周律知识产权代理有限公司 11540 代理人: 苏少康
地址: 350108 福建省福州市*** 国省代码: 福建;35
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摘要: 本申请提供了一种含硅混阴离子非线性光学晶体,化学式为:Ba5Ga2SiO4S6,具有优良的二阶非线性光学性质,即在红外波段能够实现相位匹配,具有宽的光学带隙(如Eg=4.03eV),其粉末倍频强度可达到商用材料AgGaS2的0.65倍,且其激光损伤阈值是AgGaS2晶体的17.5倍,很好地实现了大的二阶倍频系数和宽的光学带隙的平衡,且制备方法简洁,在激光频率转换、近红外探针、光折变信息处理等高科技领域有着重要的应用价值,尤其是用于红外探测器和红外激光器。
搜索关键词: 一种 含硅混 阴离子 非线性 光学 晶体 及其 制备 方法 应用
【主权项】:
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