[发明专利]一种太赫兹肖特基二极管、倍频器及电子设备在审
| 申请号： | 202211234805.3 | 申请日： | 2022-10-10 |
| 公开（公告）号： | CN115692513A | 公开（公告）日： | 2023-02-03 |
| 发明（设计）人： | 杨晓波;张波;牛中乾;胡怡;戴炳礼;樊勇;苏一洪;吴亚飞;王洪斌 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/06;H03B19/16 |
| 代理公司： | 四川中代知识产权代理有限公司 51358 | 代理人： | 王鸿 |
| 地址： | 610000 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明涉及太赫兹技术领域，尤其是涉及一种太赫兹肖特基二极管、倍频器及电子设备，包括设有阳极的第一台面、以及设有阴极的第二台面，第一台面的阳极通过第一空气桥指与第二台面的阴极连接，第一台面和第二台面之间设置有与第一空气桥指对应设置的第一沟道，所述第一沟道两侧的侧面均为平面。本发明相较于传统沟道的梯形结构，有效增大第一台面、第二台面之间的间距，降低肖特基二极管的寄生参数，减小肖特基二极管的封装对电路场分布的影响，让肖特基二极管的特性能够被模拟等效电路准确模拟，进而方便进行精确的太赫兹固态电路设计，同时基于第一沟道结构的改进，还能有效提升肖特基二极管的截止频率和实际工作性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 赫兹 肖特基 二极管 倍频器 电子设备 | ||
【主权项】：
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