[发明专利]存储器的形成方法及存储器在审
| 申请号： | 202211213559.3 | 申请日： | 2022-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN116209281A | 公开（公告）日： | 2023-06-02 |
| 发明（设计）人： | 李辉辉;张云森;王桂磊;赵超 | 申请（专利权）人： | 北京超弦存储器研究院 |
| 主分类号： | H10B61/00 | 分类号： | H10B61/00;H10N59/00;H01L23/528;H10B99/00;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京名华博信知识产权代理有限公司 11453 | 代理人： | 刘馨月 |
| 地址： | 100176 北京市大兴区北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本公开提供了一种MRAM存储器的形成方法及MRAM存储器，涉及半导体技术领域，MRAM存储器的形成方法包括：提供硅衬底和多个图案化的复合层，第一沟槽贯穿复合层并延伸至硅衬底内第一深度；形成保护层，保护层在第一沟槽中形成狭缝；基于狭缝在硅衬底内分别形成沟槽，在每个沟槽内分别形成源线；基于狭缝形成隔离层；基于被图案化的复合层形成多个垂直环栅晶体管；在每个垂直环栅晶体管上与漏极连接的金属接触垫上，形成小于金属接触垫的顶面尺寸的底接触电极。在本公开中，通过减少底接触电极与垂直环栅晶体管的接触面积，以能够形成较小面积尺寸的磁性隧道结，相对增大磁性隧道结的密度，提高芯片的存储容量。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 形成 方法 | ||
【主权项】：
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